DMN6066SSD-13參數(shù)：MOSFET 2N-CH 60V 3.3A SO8
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列PCNDesign/Specification： WaferSite/BondWire8/Apr/2013標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：2個N溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：3.3A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：66毫歐@4.5A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：10.3nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：502pF@30V功率-最大值：1.8W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOP
