DMN62D0LFB-7B參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011標(biāo)準(zhǔn)包裝：10,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：100mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：2歐姆@100mA，4V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：0.45nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：32pF@25V功率-最大值：470mW安裝類型：表面貼裝封裝：3-UFDFN供應(yīng)商器件封裝：3-X1DFN1006
