DMN63D8LDW-7參數：MOSFET N CH DL 30V 220MA SOT363
類別：分立半導體產品-FET - 陣列標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 N 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：220mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：2.8 歐姆 @ 250mA，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：0.87nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：22pF @ 25V功率 - 最大值：300mW安裝類型：表面貼裝封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供應商器件封裝：SOT-363
