DMP2104V-7參數(shù):MOSFET P-CH 20V 860MA SOT-563
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它圖紙: SOT-563PackageTopPCNDesign/Specification: BondWire11/Nov/2011標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETP通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):20V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):860mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):150毫歐@950mA,4.5V不同Id時的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):-不同Vds時的輸入電容(Ciss):320pF@16V功率-最大值:170mW安裝類型:表面貼裝封裝:SOT-563,SOT-666供應(yīng)商器件封裝:SOT-563