EM6J1T2R參數(shù)：MOSFET 2P-CH 20V 200MA EMT6
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： MOSFETs產(chǎn)品目錄繪圖： EM6SeriesEMT-6特色產(chǎn)品： ECOMOS?SeriesMOSFETs標準包裝：8,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：2個P溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：200mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.2歐姆@200mA，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@100µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：1.4nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：115pF@10V功率-最大值：150mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-563，SOT-666供應(yīng)商器件封裝：EMT6
