EM6K6T2R
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EM6K6T2R參數(shù)：MOSFET 2N-CH 20V 300MA EMT6

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品目錄繪圖： EM6SeriesEMT-6
標(biāo)準包裝：8,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：300mA
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1歐姆@300mA，4V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：25pF@10V
功率-最大值：150mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-563，SOT-666
供應(yīng)商器件封裝：EMT6