EM6M1T2R參數(shù)：MOSFET N/P-CH 30V .1A EMT6
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品培訓模塊： MOSFETs產(chǎn)品目錄繪圖： EM6SeriesEMT-6特色產(chǎn)品： ECOMOS?SeriesMOSFETs標準包裝：8,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：N和P溝道FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V，20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：100mA，200mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：8歐姆@10mA，4V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：-不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：0.9nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：13pF@5V功率-最大值：150mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-563，SOT-666供應商器件封裝：EMT6
