EPC1005參數(shù):TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單應(yīng)用說(shuō)明: ThermalPerformanceofeGaN®FETs AssemblingeGaN®FETS UsingeGaN®FETs產(chǎn)品變化通告: EPC1xxxSeriesObsolescence09/Sept/2011視頻文件: EPCeGaNFETs--AnotherGeekMoment|DigiKeyRoHS指令信息: LeadFree/RoHSStatement標(biāo)準(zhǔn)包裝:500系列:eGaN®包裝:帶卷(TR)FET類型:GaNFETN通道,氮化鎵FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):60V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):25A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):7毫歐@25A,5V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):2.5V@5mA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):10nC@5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):790pF@30V功率-最大值:-安裝類型:表面貼裝封裝:11-LGA供應(yīng)商器件封裝:11-LGA(4.1x1.6)