EPC1012參數(shù)：TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單應(yīng)用說明： SecondGenerationeGaN®FETs ThermalPerformanceofeGaN®FETs AssemblingeGaN®FETS UsingeGaN®FETs產(chǎn)品變化通告： EPC1xxxSeriesObsolescence09/Sept/2011視頻文件： EPCeGaNFETs--AnotherGeekMoment|DigiKeyRoHS指令信息： LeadFree/RoHSStatement標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：eGaN®包裝：帶卷(TR)FET類型：GaNFETN通道，氮化鎵FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：200V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：3A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：100毫歐@5A，5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：1.9nC@5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：110pF@100V功率-最大值：-安裝類型：表面貼裝封裝：4-LGA供應(yīng)商器件封裝：4-LGA（1.7x0.9）
