EPC1013參數(shù)：TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單應用說明： ThermalPerformanceofeGaN®FETs AssemblingeGaN®FETS UsingeGaN®FETs產(chǎn)品變化通告： EPC1xxxSeriesObsolescence09/Sept/2011視頻文件： EPCeGaNFETs--AnotherGeekMoment|DigiKeyRoHS指令信息： LeadFree/RoHSStatement標準包裝：500系列：eGaN®包裝：帶卷(TR)FET類型：GaNFETN通道，氮化鎵FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：150V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：3A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：100毫歐@5A，5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：1.7nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：110pF@75V功率-最大值：-安裝類型：表面貼裝封裝：4-LGA供應商器件封裝：4-LGA（1.7x0.9）
