EPC2007參數(shù)：TRANS 100V 30MO BUMPED DIE
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單應用說明： SecondGenerationeGaN®FETs AssemblingeGaN®FETS UsingeGaN®FETs產(chǎn)品培訓模塊： ParallelingeGaN?FETs產(chǎn)品變化通告： EPC20xxMaterialChange10/Apr/2013視頻文件： EPCeGaNFETs--AnotherGeekMoment|DigiKey標準包裝：1,000系列：eGaN®包裝：帶卷(TR)FET類型：GaNFETN通道，氮化鎵FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：6A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：30毫歐@6A，5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1.2mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：2.1nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：205pF@50V功率-最大值：-安裝類型：表面貼裝封裝：模具剖面（5焊條）供應商器件封裝：模具剖面（5焊條）
