EPC2012參數(shù)：TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單應(yīng)用說明： SecondGenerationeGaN®FETs AssemblingeGaN®FETS UsingeGaN®FETs產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： ParallelingeGaN?FETs產(chǎn)品變化通告： EPC20xxMaterialChange10/Apr/2013視頻文件： EPCeGaNFETs--AnotherGeekMoment|DigiKey標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：eGaN®包裝：帶卷(TR)FET類型：GaNFETN通道，氮化鎵FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：200V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：3A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：100毫歐@3A，5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：1.5nC@100V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：128pF@100V功率-最大值：-安裝類型：表面貼裝封裝：模具供應(yīng)商器件封裝：模具配用：917-1013-ND-BOARDDEVFOREPC2012200VEGAN
