EPC2014參數(shù)：TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單應(yīng)用說明： SecondGenerationeGaN®FETs AssemblingeGaN®FETS UsingeGaN®FETs產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： ParallelingeGaN?FETs產(chǎn)品變化通告： EPC20xxMaterialChange10/Apr/2013視頻文件： EPCeGaNFETs--AnotherGeekMoment|DigiKey特色產(chǎn)品： EPC201440VeGaN?FET DemoBoardEPC9101標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：eGaN®包裝：帶卷(TR)FET類型：GaNFETN通道，氮化鎵FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：40V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：10A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：16毫歐@5A，5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@2mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：2.48nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：300pF@20V功率-最大值：-安裝類型：表面貼裝封裝：5-LGA供應(yīng)商器件封裝：5-LGA（1.7x1.1）
