EPC2015參數(shù)：TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單應用說明： SecondGenerationeGaN®FETs AssemblingeGaN®FETS UsingeGaN®FETs產(chǎn)品培訓模塊： eGaNFETReliability SecondGenLeadFreeeGaNFETsOverview ParallelingeGaN?FETs產(chǎn)品變化通告： EPC20xxMaterialChange10/Apr/2013視頻文件： EPCeGaNFETs--AnotherGeekMoment|DigiKeyRoHS指令信息： LeadFree/RoHSStatement特色產(chǎn)品： eGaN?FETs DemoBoardEPC9101標準包裝：500系列：eGaN®包裝：帶卷(TR)FET類型：GaNFETN通道，氮化鎵FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：40V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：33A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：4毫歐@33A，5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@9mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：10.5nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1100pF@20V功率-最大值：-安裝類型：表面貼裝封裝：模具剖面（11焊條）供應商器件封裝：模具剖面（11焊條）
