EPC2001參數(shù)：TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單應(yīng)用說明： SecondGenerationeGaN®FETs AssemblingeGaN®FETS UsingeGaN®FETs產(chǎn)品培訓模塊： eGaNFETReliability SecondGenLeadFreeeGaNFETsOverview ParallelingeGaN?FETs產(chǎn)品變化通告： EPC20xxMaterialChange10/Apr/2013視頻文件： EPCeGaNFETs--AnotherGeekMoment|DigiKeyRoHS指令信息： LeadFree/RoHSStatement特色產(chǎn)品： eGaN?FETs標準包裝：500系列：eGaN®包裝：帶卷(TR)FET類型：GaNFETN通道，氮化鎵FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：25A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：7毫歐@25A，5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@5mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：8nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：850pF@50V功率-最大值：-安裝類型：表面貼裝封裝：模具剖面（11焊條）供應(yīng)商器件封裝：模具剖面（11焊條）
