FDD6N50TM參數(shù)：MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：2,500系列：UniFET™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：500V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：6A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：900 毫歐 @ 3A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：16.6nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：940pF @ 25V功率 - 最大值：89W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：D-Pak