HGT1S20N35G3VLS
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HGT1S20N35G3VLS參數(shù)：IGBT ESD N-CHAN 350V TO-263AB

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路
PCNObsolescence： PDN#Q108016517/Jan/2008
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
系列：-
包裝：管件
IGBT類型：-
電壓-集射極擊穿（最大值）：380V
不同?Vge、Ic時的?Vce(on)：2.8V@5V，20A
電流-集電極(Ic)（最大值）：20A
Current-CollectorPulsed(Icm)：-
功率-最大值：150W
SwitchingEnergy：-
輸入類型：邏輯
GateCharge：28.7nC
Td(on/off)A25°C：-
TestCondition：-
反向恢復(fù)時間(trr)：-
封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：TO-263AB