MMBF0201NLT1G
PDF資料下載

MMBF0201NLT1G參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： PossibleAdhesionIssue11/July/2008 WireChangeforSOT23Pkg26/May/2009
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：300mA
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1歐姆@300mA，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：45pF@5V
功率-最大值：225mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）