NTD4865N-35G參數(shù):MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: ProductObsolescence13/Apr/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝:75系列:-包裝:管件FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):25V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):8.5A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):10.9毫歐@30A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):2.5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):10.8nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):827pF@12V功率-最大值:1.27W安裝類型:通孔封裝:TO-251-3短截引線,IPak供應(yīng)商器件封裝:I-Pak