NTD60N02RG參數(shù):MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: ProductObsolescence19/Dec/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝:75系列:-包裝:管件FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):25V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):8.5A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):10.5毫歐@20A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):2V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):14nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):1330pF@20V功率-最大值:1.25W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-252-3,DPak(2引線+接片),SC-63供應(yīng)商器件封裝:D-Pak