NTD60N02R參數(shù)：MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：75系列：-包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：25V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：8.5A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：10.5 毫歐 @ 20A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：14nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1330pF @ 20V功率 - 最大值：1.25W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：D-Pak
