NTD6416ANL-1G參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 19A IPAK
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：75系列：-包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：19A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：74 毫歐 @ 19A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：40nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1000pF @ 25V功率 - 最大值：71W安裝類型：通孔封裝：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA供應商器件封裝：I-Pak
