NTD65N03RT4參數(shù):MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK
類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: LTBNotification標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500系列:-包裝:帶卷(TR)FET類(lèi)型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門(mén)漏源極電壓(Vdss):25V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):9.5A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):8.4毫歐@30A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):2V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):16nC@5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):1400pF@20V功率-最大值:1.3W安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝:TO-252-3,DPak(2引線+接片),SC-63供應(yīng)商器件封裝:D-Pak