NTHD2102PT1參數(shù)：MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence11/Feb/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：2個(gè)P溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：8V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：3.4A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：58毫歐@3.4A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：16nC@2.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：715pF@6.4V功率-最大值：1.1W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝：ChipFET?
