NTHD2110TT1G參數(shù)：MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence19/Dec/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：12V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：4.5A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：40毫歐@6.4A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：850mV@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：14nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1072pF@6V功率-最大值：1.1W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝：ChipFET?
