NTHD4508NT1G參數(shù):MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:-包裝:帶卷 (TR)FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙)FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)):3A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):75 毫歐 @ 3.1A,4.5V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):4nC @ 4.5V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):180pF @ 10V功率 - 最大值:1.13W安裝類型:表面貼裝封裝:8-SMD,扁平引線供應(yīng)商器件封裝:ChipFET?