NTHD4508NT1G參數(shù)：MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 N 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：3A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：75 毫歐 @ 3.1A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：4nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：180pF @ 10V功率 - 最大值：1.13W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SMD，扁平引線供應商器件封裝：ChipFET?
