NTHD4P02FT1G參數(shù):MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:-包裝:帶卷 (TR)FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物FET 功能:二極管(隔離式)漏源極電壓 (Vdss):20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):2.2A不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):155 毫歐 @ 2.2A,4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):6nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):300pF @ 10V功率 - 最大值:1.1W安裝類型:表面貼裝封裝:8-SMD,扁平引線供應(yīng)商器件封裝:ChipFET?