NTHS2101PT1參數(shù):MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: ProductObsolescence11/Feb/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETP通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):8V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):5.4A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):25毫歐@5.4A,4.5V不同Id時的Vgs(th)(最大值):1.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):30nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss):2400pF@6.4V功率-最大值:1.3W安裝類型:表面貼裝封裝:8-SMD,扁平引線供應(yīng)商器件封裝:ChipFET?