NTHS4111PT1G參數(shù):MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: ProductDiscontinuation31/Mar/2005標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETP通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):30V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):3.3A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):45毫歐@4.4A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):28nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):1500pF@24V功率-最大值:700mW安裝類型:表面貼裝封裝:8-SMD,扁平引線供應(yīng)商器件封裝:ChipFET?