NTJD2152PT2參數(shù)：MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 P 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：8V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：775mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：300 毫歐 @ 570mA，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：4nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：225pF @ 8V功率 - 最大值：270mW安裝類型：表面貼裝封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供應(yīng)商器件封裝：SOT-363
