NTJD2152PT2G參數(shù)：MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence19/Dec/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類(lèi)型：2個(gè)P溝道（雙）FET功能：邏輯電平門(mén)漏源極電壓(Vdss)：8V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：775mA不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：300毫歐@570mA，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：4nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：225pF@8V功率-最大值：270mW安裝類(lèi)型：表面貼裝封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供應(yīng)商器件封裝：SOT-363
