NTJD2152PT2G參數(shù):MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363
類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品變化通告: ProductObsolescence19/Dec/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類(lèi)型:2個(gè)P溝道(雙)FET功能:邏輯電平門(mén)漏源極電壓(Vdss):8V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):775mA不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):300毫歐@570mA,4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):4nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):225pF@8V功率-最大值:270mW安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝:6-TSSOP,SC-88,SOT-363供應(yīng)商器件封裝:SOT-363