NTJD4152PT1參數(shù):MOSFET P-CHAN DUAL 20V SOT-363
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品變化通告: LTBNotification03/Jan/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:2個P溝道(雙)FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):20V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):880mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):260毫歐@880mA,4.5V不同Id時的Vgs(th)(最大值):450mV@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):2.2nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss):155pF@20V功率-最大值:272mW安裝類型:表面貼裝封裝:6-TSSOP,SC-88,SOT-363供應(yīng)商器件封裝:SOT-363