NTLJD2104PTBG參數(shù)：MOSFET P-CH DUAL 12V 4.3A 6WDFN
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence01/Jul/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：2個P溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：12V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：2.4A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：90毫歐@3A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：800mV@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：8nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：467pF@6V功率-最大值：700mW安裝類型：表面貼裝封裝：6-WDFN裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝：6-WDFN（2x2）
