NTLJD3119CTAG參數(shù)：MOSFET N/P-CH 20V 4.6/4.1A 6WDFN
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品變化通告： 1Q2012Discontinuation30/Mar/2012標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：N和P溝道FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：2.6A，2.3A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：65毫歐@3.8A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：3.7nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：271pF@10V功率-最大值：710mW安裝類型：表面貼裝封裝：6-WDFN裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝：6-WDFN（2x2）
