NTLJD3183CZTBG參數(shù)：MOSFET COMPL 20V LOW PRO 6WDFN
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence14/Apr/2010標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：N和P溝道FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：2.6A，2.2A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：68毫歐@2A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：7nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：355pF@10V功率-最大值：710mW安裝類型：表面貼裝封裝：6-WDFN裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝：6-WDFN（2x2）
