NTLJS1102PTAG參數(shù)：MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence14/Apr/2010標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：8V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：3.7A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：36毫歐@6.2A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：720mV@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：25nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1585pF@4V功率-最大值：700mW安裝類型：表面貼裝封裝：6-WDFN裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝：6-WDFN（2x2）
