NTLJS2103PTAG參數(shù)：MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence14/Apr/2010標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平柵極，1.2V驅(qū)動漏源極電壓(Vdss)：12V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：3.5A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：40毫歐@3A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：800mV@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：15nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1157pF@6V功率-最大值：700mW安裝類型：表面貼裝封裝：6-WDFN裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝：6-WDFN（2x2）
