NTLJS4159NT1G參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WFDN
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation03/Apr/2007標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：3.6A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：35毫歐@2A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：13nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1045pF@15V功率-最大值：700mW安裝類型：表面貼裝封裝：6-WDFN裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝：6-WDFN（2x2）
