NTLTD7900ZR2G
PDF資料下載

NTLTD7900ZR2G參數(shù)：MOSFET PWR N-CHAN 9A 20V 8MICRO

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：6A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：26毫歐@6.5A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：18nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：15pF@16V
功率-最大值：1.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-VDFN裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：Micro8?