NTMD2C02R2參數(shù)：MOSFET PWR N/P-CH DUAL 20V 8SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品變化通告： LTBNotification03/Jan/2008 WireChange20/Aug/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：N和P溝道FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：5.2A，3.4A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：43毫歐@4A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：20nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1100pF@10V功率-最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOICN
