NTMD3P03R2G參數(shù):MOSFET PWR P-CHAN DUAL 30V 8SOIC
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品變化通告: WireChange20/Aug/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:2個(gè)P溝道(雙)FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):30V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):2.34A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):85毫歐@3.05A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):2.5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):25nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):750pF@24V功率-最大值:730mW安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm寬)供應(yīng)商器件封裝:8-SOICN