NTMD6601NR2G參數(shù)：MOSFET N-CH 80V 1.1A 8SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence05/Oct/2010標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：2個(gè)N溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：80V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：1.1A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：215毫歐@2.2A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：15nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：400pF@25V功率-最大值：600mW安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOICN
