NTMD6N03R2G參數(shù)：MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品變化通告： WireChange20/Aug/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：2個N溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：6A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：32毫歐@6A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：30nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：950pF@24V功率-最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOICN
