NTMD6P02R2G參數(shù):MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品變化通告: WireChange20/Aug/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:2個(gè)P溝道(雙)FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):20V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):4.8A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):33毫歐@6.2A,4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):1.2V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):35nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):1700pF@16V功率-最大值:750mW安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm寬)供應(yīng)商器件封裝:8-SOICN