NTMFS4119NT1G參數(shù):MOSFET N-CHAN 18A 30V SO8 FL
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: ReactivationNotice08/Apr/2011 ProductDiscontinuation27/Jan/2012標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):30V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):11A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):3.5毫歐@29A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):2.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):60nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss):4800pF@24V功率-最大值:900mW安裝類型:表面貼裝封裝:8-TDFN裸焊盤(5根引線)供應(yīng)商器件封裝:6-DFN,8-SO扁平引線(5x6)