NTMFS4701NT1G參數(shù):MOSFET N-CH 12.3A 30V SO8 FL
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: ProductObsolescence13/Apr/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):30V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):7.7A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):8毫歐@20A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):15nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):1280pF@24V功率-最大值:900mW安裝類型:表面貼裝封裝:8-TDFN裸焊盤(5根引線)供應(yīng)商器件封裝:6-DFN,8-SO扁平引線(5x6)