NTMFS4708NT1G參數(shù):MOSFET N-CH 30V 7.8A SO8 FL
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: ProductDiscontinuation21/Jun/2007標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):30V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):7.8A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):10毫歐@11.5A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):2.5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):15nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):970pF@24V功率-最大值:1W安裝類型:表面貼裝封裝:8-TDFN裸焊盤(5根引線)供應(yīng)商器件封裝:6-DFN,8-SO扁平引線(5x6)