NTMFS4836NT1G參數(shù):MOSFET N-CH 30V 11A SO-8FL
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: ProductDiscontinuation30/Sept/2011標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):30V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):11A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):4毫歐@30A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):2.5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):28nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):2677pF@12V功率-最大值:890mW安裝類型:表面貼裝封裝:8-TDFN裸焊盤(5根引線)供應(yīng)商器件封裝:6-DFN,8-SO扁平引線(5x6)