NTMS10P02R2參數(shù):MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: WireChange20/Aug/2008 ProductObsolescence11/Feb/2009標準包裝:2,500系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETP通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):20V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):8.8A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):14毫歐@10A,4.5V不同Id時的Vgs(th)(最大值):1.2V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):70nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss):3640pF@16V功率-最大值:1.6W安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm寬)供應(yīng)商器件封裝:8-SOICN